三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试，为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作该产品采用12层堆叠设计，伟达单颗容量达36GB，认证相比上一代HBM3能效提升约20%。加速HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，负载目前三星已开始向英伟达批量供货，部署存通 来源：三星官方新闻 三星表示，过英工作此举将打破SK海力士在HBM市场的伟达垄断格局，显著降低延迟。认证通过优化热管理工艺和先进的加速硅通孔技术，将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。数据传输速率高达9.6Gbps，部署预计下半年搭载于H200及后续GPU中。存通业内分析认为，